MOCVD法によりSrTiO<sub>3</sub>:Nb及びPt基板上に成長したPZT薄膜の強誘電特性

文献

J-GLOBAL ID：200902116829634970 整理番号：93A0663964

MOCVD法によりSrTiO₃:Nb及びPt基板上に成長したPZT薄膜の強誘電特性

Ferroelectric Properties for PZT Thin Films Grown on SrTi03:Nb and Pt Substrates by MOCVD.

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資料名：
巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 489 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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