文献

J-GLOBAL ID：200902117057927239   整理番号：01A0877232

H-端末Si(111)表面上に電極析出によるナノサイズ棒状Niクラスタの調製

Formation of Nanosized Rodlike Ni Clusters by Electrodeposition on H-Terminated Si(111) Surfaces.

著者 (3件)： IMANISHI A (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORISAWA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKATO Y (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 4  号： 9  ページ： C69-C72  発行年： 2001年09月 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のデバイスの半導体材料表面制御を目的に,標記研究を報告し...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0877232&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1290A") }}

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  析出 ,  ナノサイズ ,  Ni ,  クラスタ ,  調製