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J-GLOBAL ID：200902117141248339   整理番号：02A0325670

H注入GaNのブリスタリング

Blistering of H-implanted GaN.

著者 (5件)： KUCHEYEV S O (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  WILLIAMS J S (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  JAGADISH C (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  ZOU J (Univ. Sydney, NSW, AUS) ,  LI G (Ledex Corp., Kaohsiung County, TWN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 91  号： 6  ページ： 3928-3930  発行年： 2002年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hイオンを注入したウルツ鉱型GaN膜のブリスタリング機構を調...

シソーラス用語： *ブリスタリング ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 注入 ,  GaN ,  ブリスタリング