有機金属気相エピタクシーによる低欠陥密度のGaNの横方向エピタクシー

NAM O-H; BREMSER M D; ZHELEVA T S; DAVIS R F

文献

J-GLOBAL ID：200902117366591008 整理番号：98A0023757

有機金属気相エピタクシーによる低欠陥密度のGaNの横方向エピタクシー

Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 71 号： 18 ページ： 2638-2640 発行年： 1997年11月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaN/AlN/6H-SiC(0001)基板上に3μmの間隔...

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半導体薄膜

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