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J-GLOBAL ID：200902117437103808   整理番号：02A0226005

進歩したナノ構造作製のためのけい素ウエハスケールに対する歪分布制御

Strain distribution control on the silicon wafer scale for advanced nanostructure fabrication.

著者 (3件)： OMI H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  BOTTOMLEY D J (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OGINO T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 6  ページ： 1073-1075  発行年： 2002年02月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面Siウエハスケール上の進歩したナノ構造の自己集合のための...

シソーラス用語： ナノ構造 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ構造 ,  作製 ,  けい素ウエハ ,  スケール ,  歪分布