文献

J-GLOBAL ID：200902117460918657   整理番号：96A0967406

InN低温バッファ層を用いたサファイア基板上InGaN成長

InGaN growth on Al2O3 substrates using InN buffer layer.

著者 (8件)： 西山崇之 (静岡大 工) ,  伊藤孝浩 (静岡大 工) ,  柳原将貴 (サンケン電気) ,  大塚康二 (サンケン電気) ,  桑原憲弘 (静岡大 工) ,  今井哲二 (明星大) ,  高野泰 (静岡大 工) ,  福家俊郎 (静岡大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 1  ページ： 209  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： InN ,  低温 ,  バッファ層 ,  サファイア基板 ,  InGaN ,  成長