研究者

J-GLOBAL ID：201101099420432049 更新日: 2022年09月20日

今井哲二

イマイテツジ | Tetsuji Imai

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (3件)：

旧所属明星大学理工、情報学部教授
旧所属電気通信大学電子工学科教授
旧所属 NTT電気通信研究所半導体研究室長

ホームページURL (1件)： http://kaken.nii.ac.jp/d/r/50143714.ja.html

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (2件)：半導体デバイス・電子物性 , 化合物半導体

論文 (28件)：

Y.Takano, S.Fuke, T. Imai. Two-step growth of InP on GaAs subustrates by metalorganic vapor phase epitaxy. J.Cryst.Growth. 1996. 169. 4. 621-624
S.Fuke, Y.Takano, T. Imai. Lattice relaxation of AlGaAs rayers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy. J.Appl.Phys. 1995. 77. 1. 420-422
S FUKE, Y SUZUKI, K KUWAHARA, Y TAKANO, T IMAI. ORIENTATION DEPENDENCES OF THE GROWTH-RATE AND IODINE INCORPORATION FOR THE ZNSE GROWTH BY HYDROGEN TRANSPORT VAPOR-PHASE EPITAXY. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 1994. 144. 3-4. 367-370
Tetsuji IMAI, Shunro Fuke. Experimental and Computer-Simulated Characteristics of Al0.3 Ga0.7As/GaAs Heterojunctions. Bulletin of Meisei Univ. 1993. 1. 33-50
M.Umemura,S.Fuke, T. Imai. Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs (111)A substrate plane by organo-metallic vapor phase epitaxy. J.Appl.phys. 1992. 72. 1. 313-315

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MISC (14件)：

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学位 (1件)：

工学博士 (大阪大学)

経歴 (4件)：

1992/04 - 明星大学情報学部電子情報学科教授
1989/04 - 1992/03 明星大学理工学部教授
1984/10 - 1989/03 静岡大学工学部教授
1967 - 日本電信電話公社電気通信研究所半導体部品研究室室長

委員歴 (5件)：

1979 - 1987 電子通信学会半導体・トランジスタ研究専門委員会委員・顧問委員
1973/01 - 1980/12 IEEE ISSCC ( International Soid-State Circuits Conference ) アジア委員会論文委員
1971/01 - 1974/03 応用物理学会応用電子物性分科会幹事長
1972/01 - 1973/12 応用物理学会理事
1963/04 - 1968/03 応用物理学会会誌編集委員

受賞 (1件)：

1985/11 - 日刊工業新聞社第一回技術・科学図書優秀賞『化合物半導体デバイス〔I〕、〔II〕』工業調査会 (1959/1960)

所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

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