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J-GLOBAL ID：200902117659578146   整理番号：98A0310198

p型SiC基板上に成長させた大電流AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタのDCおよびマイクロ波性能

DC and Microwave Performance of High-Current AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Grown on p-Type SiC Substrates.

著者 (5件)： PING A T (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  CHEN Q (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  YANG J W (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  ASIF KHAN M (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 19  号： 2  ページ： 54-56  発行年： 1998年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能な標題ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)の作製...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC基板 ,  成長 ,  大電流 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  DC ,  マイクロ波