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J-GLOBAL ID:200902117693749480   整理番号:98A0823852

AlGaN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタにおける二次元電子の移動度

Mobility of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors.
著者 (3件):
資料名:
巻: 73  号:ページ: 818-820  発行年: 1998年08月10日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  トランジスタ 

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