AlGaN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタにおける二次元電子の移動度

OBERHUBER R; ZANDLER G; VOGL P

文献

J-GLOBAL ID：200902117693749480 整理番号：98A0823852

AlGaN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタにおける二次元電子の移動度

Mobility of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors.

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巻： 73 号： 6 ページ： 818-820 発行年： 1998年08月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の移動度をウルツ鉱型構造と閃亜鉛鉱型構造のAlGaN/G...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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