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J-GLOBAL ID：200902117728690948   整理番号：00A0667194

SOIウエハにおける擬似MOSトランジスタの再検討 動作,パラメータ抽出,および応用

A Review of the Pseudo-MOS Transistor in SOI Wafers: Operation, Parameter Extraction, and Applications.

著者 (3件)： CRISTOLOVEANU S (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  MUNTEANU D (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  LIU M S T (Honeywell SSEC, MN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47  号： 5  ページ： 1018-1027  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬似MOSトランジスタ(ψ-MOSFET)は,SOIウエハの...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  ウエハ ,  擬似 ,  MOSトランジスタ ,  パラメータ抽出 ,  応用