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J-GLOBAL ID：200902118022601957   整理番号：99A0390433

Nチャネル・エンハンスメント6H-SiC MOSFETの詳細な検討

Detailed Investigation of N-Channel Enhancement 6H-SiC MOSFET’s.

著者 (3件)： SCHOERNER R (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICHS P (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  PETERS D (Siemens AG, Erlangen, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 3  ページ： 533-541  発行年： 1999年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のエンハンスメントモードMOSFETについて,反転層移動...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： トラップ【固体】

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Nチャネル ,  6H-SiC ,  MOSFET