文献

J-GLOBAL ID：200902118088077388   整理番号：94A0113664

HREM study of GaAs layers grown on Ge by the close-spaced vapour transport technique.

著者 (4件)： GUELTON N (INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN) ,  FEUILLET G (Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  SAINT-JACQUES R G (INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN) ,  DODELET J P (INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 134  ページ： 365-368  発行年： 1993年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： HREM ,  GaAs ,  Ge