炭化けい素中のほう素の拡散  キックアウト機構の証拠

BRACHT H; STOLWIJK N A; LAUBE M; PENSL G

文献

J-GLOBAL ID：200902118120158328 整理番号：01A0162828

炭化けい素中のほう素の拡散キックアウト機構の証拠

Diffusion of boron in silicon carbide: Evidence for the kick-out mechanism.

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資料名：
巻： 77 号： 20 ページ： 3188-3190 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

窒素ドープ4H-SiCとアルミニウムドープ6H-SiC中に注...

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固体中の拡散一般 , 半導体の格子欠陥

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炭化けい素中のほう素の拡散 キックアウト機構の証拠

炭化けい素中のほう素の拡散キックアウト機構の証拠