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J-GLOBAL ID：200902118542315990   整理番号：99A0932846

負性抵抗InGaAs量子細線FET

著者 (5件)： 菅谷武芳 (電総研) ,  KIM S J (電総研) ,  中川格 (電総研) ,  杉山佳延 (電総研) ,  小倉睦郎 (電総研)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 1999  号： ソサイエティ C2  ページ： 54  発行年： 1999年08月16日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体量子細線構造は,新しい電子デバイス,光デバイスとしての...

シソーラス用語： 負性抵抗 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 負性抵抗 ,  InGaAs ,  量子細線 ,  FET