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J-GLOBAL ID:200902118542315990   整理番号:99A0932846

負性抵抗InGaAs量子細線FET

著者 (5件):
資料名:
巻: 1999  号: ソサイエティ C2  ページ: 54  発行年: 1999年08月16日 
JST資料番号: G0508A  ISSN: 1349-1369  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体量子細線構造は,新しい電子デバイス,光デバイスとしての...
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