誘導結合プラズマ法を用いたGaN,AlGaNおよびAlNの高速選択エッチング

SMITH S A; WOLDEN C A; BREMSER M D; HANSER A D; DAVIS R F; LAMPERT W V

文献

J-GLOBAL ID：200902118590274685 整理番号：98A0142849

誘導結合プラズマ法を用いたGaN,AlGaNおよびAlNの高速選択エッチング

High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN using an inductively coupled plasma.

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資料名：
巻： 71 号： 25 ページ： 3631-3633 発行年： 1997年12月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Cl₂とArを用いて誘導結合プラズマ(...

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プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

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