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J-GLOBAL ID：200902118856673173   整理番号：98A0932160

SiCの昇華エピタクシーにおける分域発達の研究

Investigation of domain evolution in sublimation epitaxy of SiC.

著者 (6件)： TUOMINEN M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  YAKIMOVA R (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KAKANAKOVA-GEORGIEVA A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MACMILLAN M F (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SYVAEJAERVI M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 193  号： 1/2  ページ： 101-108  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能X線回折法により,昇華エピタクシー法で成長させたSi...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  昇華 ,  エピタクシー ,  分域 ,  発達 ,  研究