文献

J-GLOBAL ID：200902118863570363   整理番号：97A0797118

エキシマレーザアブレーション法によるPb-Zr-Ti-O強誘電体薄膜の作製

Preparation of Ferroelectric Pb-Zr-Ti-O Thin Films by KrF Excimer Laser Ablation Technique.

著者 (4件)： 黒木啓光 (熊本大) ,  山形幸彦 (熊本大) ,  池上知顕 (熊本大) ,  えび原健治 (熊本大)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 117-A  号： 8  ページ： 873-880  発行年： 1997年08月 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザアブレーション法によるPbZr<sub>0.52</s...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0797118&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0808A") }}

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (16件)：

• IIJIMA, K. Preparation of c-axis oriented PbTiO_3 thin films and their crystallographic, dielectric, and pyoelectric properties. J. Appl. Phys. 1986, 60, 361-367
• KUSHIDA, K. Piezoelectricity of c-axis oriented PbTiO_3 thin films. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 1800-1801
• MIKI, H. Uniform ultra-thin Pb(Zr, Ti)O_3 films formed by metal-organic chemical vapor deposition and their electrical characteristics. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 9B, 5143-5146
• TOKUMITSU, E. Film quality dependence of adaptive-learning processes in neurodevices using ferroelectric PbZr_XTi_<1-X>O_3(PZT) films. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 1061-1065
• AMORUSO, S. Laser ablation of Pb(Ti_<0.48>Zr_<0.52>)O_3 target : Characterization and evolution of charged species. J. Appl. Phys. 1995, 78, 1, 494-504

タイトルに関連する用語 (7件)： エキシマレーザ ,  アブレーション法 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  強誘電体薄膜 ,  作製