カスプ磁場中でのCzochralski結晶成長中,融解シリコンの流れと温度場

文献

J-GLOBAL ID：200902118871758045 整理番号：98A0969429

Flow and temperature field in molten silicon during Czochralski crystal growth in a cusp magnetic field.

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巻： 193 号： 3 ページ： 402-412 発行年： 1998年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

3種類のカスプ磁場配位(CMF)中で融解シリコンの流れ挙動と...

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半導体の結晶成長

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