ホローカソードプラズマ源によるSiO<sub>X</sub>成膜

文献

J-GLOBAL ID：200902118918917740 整理番号：02A0753011

ホローカソードプラズマ源によるSiO_X成膜

SiO_X Thin Film Deposition Using a Hollow Cathode Plasma Source.

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資料名：
巻： 52 号： 2 ページ： 27-30 発行年： 2002年09月01日
JST資料番号： F0164A ISSN： 0373-8868 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

ホローカソードプラズマ源の原理と特徴を述べ,Siウエハ及びポ...

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薄膜成長技術・装置

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