Optimized strained In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As structures for device application.

文献

J-GLOBAL ID：200902119035502016 整理番号：93A0525909

Optimized strained In_xGa_1-xAs structures for device application.

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巻： 127 号： 1/4 ページ： 36-40 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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