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J-GLOBAL ID：200902119133257402   整理番号：99A1009032

GaP(111)B基質上でのInNのMOCVD成長

MOCVD Growth of InN on GaP(111)B Substrate.

著者 (5件)： BHUIYAN A G (Fukui Univ.) ,  ADACHI M (Fukui Univ.) ,  OHKUBO M (Fukui Univ.) ,  HASHIMOTO A (Fukui Univ.) ,  YAMAMOTO A (Fukui Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 1  ページ： 275  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： GAP ,  基質 ,  InN ,  MOCVD ,  成長