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J-GLOBAL ID：200902119251843634   整理番号：93A0781925

高温におけるSiとSiCバイポーラトランジスタの動作特性の理論的予測

Theoretical prediction of the performance of Si and SiC bipolar transistors operating at high temperatures.

著者 (2件)： LIOU J J (Univ. Central Florida, FL, USA) ,  KAGER A (Univ. Central Florida, FL, USA)
資料名： IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems  (IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems)
巻： 140  号： 4  ページ： 289-293  発行年： 1993年08月 
JST資料番号： A0160B  ISSN： 0143-7089  CODEN： IPGSEB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーバンドギャッブが大きく,高い熱伝導率をもつSiCと...

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiC ,  バイポーラトランジスタ ,  動作特性 ,  理論 ,  予測