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J-GLOBAL ID：200902119282952784   整理番号：00A0902527

オーバラップゲート構造をした高降伏なGaNのHEMT

High Breakdown GaN HEMT with Overlapping Gate Structure.

著者 (6件)： ZHANG N-Q (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  PARISH G (Univ. California, CA, USA) ,  HEIKMAN S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA K (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 9  ページ： 421-423  発行年： 2000年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ゲートをドレイン側の端で高降伏で高誘電率の誘電体上にオー...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： 電気的降伏

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： オーバラップ ,  ゲート ,  降伏 ,  GaN ,  HEMT