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J-GLOBAL ID：200902119367246650   整理番号：02A0113171

シリコン界面制御層を備えた高いDCおよびRF性能を示す新型InGaAs/InAlAs絶縁ゲート擬似形態HEMT

A Novel InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMT with a Silicon Interface Control Layer Showing High DC- and RF-Performance.

著者 (5件)： XIE Y G (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKAHASHI H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  JIANG C (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASEGAWA H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 7  ページ： 312-314  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： きわめて薄いシリコン界面制御層を利用する標記のHEMT(IG...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： シリコン ,  界面制御 ,  DC ,  RF ,  InGaAs ,  InAlAs ,  絶縁 ,  ゲート ,  擬似 ,  形態 ,  HEMT