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J-GLOBAL ID：200902119523194479   整理番号：94A0080020

湿式化学エッチングとOMVPE再成長による長波長GaInAs(P)/InP量子細線レーザに関する製造技術

Fabrication Technology for Long-Wavelength GaInAs(P)/InP Quantum-Wire Lasers by Wet-Chemical Etching and OMVPE Regrowth.

著者 (7件)： ARAI S (Tokyo Inst. Technology, Tokyo) ,  KUDO K (Tokyo Inst. Technology, Tokyo) ,  HIRAYAMA H (Tokyo Inst. Technology, Tokyo) ,  MIYAKE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  MIYAMOTO Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  TAMURA S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  SUEMATSU Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo)
資料名： Optoelectronics- Devices and Technologies  (Optoelectronics- Devices and Technologies)
巻： 8  号： 4  ページ： 461-478  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： X0445A  ISSN： 0912-5434  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純H₂雰囲気での前処理とp-型InP基...

シソーラス用語： 量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： 再成長

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学エッチング ,  OMVPE ,  再成長 ,  長波 ,  GaInAs ,  InP ,  量子細線レーザ ,  製造技術