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J-GLOBAL ID：200902119564156280   整理番号：02A0862223

自立した(1-100)方位GaN基板上でのGaNホモエピタクシー

GaN homoepitaxy on freestanding (1<span style=text-decoration:overline>1</span>00) oriented GaN substrates.

著者 (9件)： CHEN C Q (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  GAEVSKI M E (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  SUN W H (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  WANG H M (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J W (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KHAN M A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  MARUSKA H-P (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  CHOU M M C (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  CHAI B (Crystal Photonics, Inc., Florida)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 17  ページ： 3194-3196  発行年： 2002年10月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立した(1-100)方位GaN基板上に結晶相純度と光学特性...

シソーラス用語： 結晶方位 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自立 ,  方位 ,  GaN ,  ホモエピタクシー