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J-GLOBAL ID：200902119594064169   整理番号：98A0861458

サブクォーターミクロン配線用の高信頼性で自己平坦化性のある低k金属間誘電体

A Highly Reliable Self-planarizing Low-k Intermetal Dielectric for Sub-quarter Micron Interconnects.

著者 (6件)： MATSUURA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TOTTORI I (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  GOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MAEKAWA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MASHIKO Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  HIRAYAMA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1997  ページ： 785-788  発行年： 1997年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいCVD化学反応を用いた高信頼性の金属間配線(IMD)プ...

シソーラス用語： *配線 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高信頼性 ,  自己 ,  平坦化 ,  誘電体