低ドープn型シリコン中のマクロ孔生成の物理学

LEHMANN V

文献

J-GLOBAL ID：200902119677794070 整理番号：93A0950201

低ドープn型シリコン中のマクロ孔生成の物理学

The Physics of Macropore Formation in Low Doped n-Type Silicon.

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資料名：
巻： 140 号： 10 ページ： 2836-2843 発行年： 1993年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

細孔先端に特定の電流密度をもつ特性の,自己制御現象のn型Si...

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電気化学反応 , 固体デバイス材料

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