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J-GLOBAL ID：200902119757487399   整理番号：98A0042607

キセノンエキシマランプを用いたシリコンの低温光酸化

Low temperature photo-oxidation of silicon using a xenon excimer lamp.

著者 (2件)： ZHANG J-Y (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BOYD I W (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 20  ページ： 2964-2966  発行年： 1997年11月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 172nmの波長で動作するXe^*<su...

シソーラス用語： キセノンランプ ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： キセノン ,  エキシマランプ ,  シリコン ,  低温 ,  光酸化