InP上のヘテロエピタキシャルGaInPの表面モホロジーと格子変形

文献

J-GLOBAL ID：200902119807500677 整理番号：93A0682928

Surface morphology and lattice distortion of heteroepitaxial GaInP on InP.

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資料名：
巻： 130 号： 3/4 ページ： 433-443 発行年： 1993年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

原子間力顕微鏡(AFM)と高分解X線回折(HRXRD)により...

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半導体の表面構造

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