Siイオン注入で作製した窓構造を有するAlフリーInGaAs-InGaAsP 0.98μmレーザの高出力と高信頼動作

HIRAMOTO K; SAGAWA M; KIKAWA T; TSUJI S

文献

J-GLOBAL ID：200902120092477972 整理番号：99A0977006

Siイオン注入で作製した窓構造を有するAlフリーInGaAs-InGaAsP 0.98μmレーザの高出力と高信頼動作

High-Power and Highly Reliable Operation of Al-Free InGaAs-InGaAsP 0.98-μm Lasers with a Window Structure Fabricated by Si Ion Implantation.

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資料名：
巻： 5 号： 3 ページ： 817-821 発行年： 1999年05月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の窓構造を有するAlフリーInGaAs-InGaAsP-...

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半導体レーザ

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