LaNiO<sub>3</sub>バッファ層を有するSi上に有機金属化学蒸着したPb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>(25nm~100nm)薄膜の電気的特性における厚みの影響

LIN C H; FRIDDLE P A; MA C H; DAGA A; CHEN H

文献

J-GLOBAL ID：200902120124523017 整理番号：01A0835857

LaNiO₃バッファ層を有するSi上に有機金属化学蒸着したPb(Zr,Ti)O₃(25nm~100nm)薄膜の電気的特性における厚みの影響

Effects of thickness on the electrical properties of metalorganic chemical vapor deposited Pb(Zr,Ti)O₃ (25-100 nm) thin films on LaNiO₃ buffered Si.

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資料名：
巻： 90 号： 3 ページ： 1509-1515 発行年： 2001年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

白金被覆Si上の標記バッファ層上に(100)配向したPb(Z...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜

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LaNiO3バッファ層を有するSi上に有機金属化学蒸着したPb(Zr,Ti)O3(25nm~100nm)薄膜の電気的特性における厚みの影響

LaNiO₃バッファ層を有するSi上に有機金属化学蒸着したPb(Zr,Ti)O₃(25nm~100nm)薄膜の電気的特性における厚みの影響