ウェハボンドしたGaAs/Siヘテロ接合の電気的特性

ZHOU Y C; ZHU Z H; CROUSE D; LO Y H

文献

J-GLOBAL ID：200902120335569463 整理番号：98A0985999

ウェハボンドしたGaAs/Siヘテロ接合の電気的特性

Electrical properties of wafer-bonded GaAs/Si heterojunctions.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=98A0985999&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0985999&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 73 号： 16 ページ： 2337-2339 発行年： 1998年10月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ウェハボンドGaAs/Siヘテロ接合を作製してその電気的特性...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0985999&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 固体デバイス製造技術一般

, , ,

前のページに戻る