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J-GLOBAL ID:200902120668539219   整理番号:02A0643953

銅相互接続におけるボイド形成に及ぼす焼なまし雰囲気の影響

Materials-Related Issues for Cu Interconnects Used in Ultra High Speed Large Scaled Integrated Si Devices. Effect of Annealing Atmosphere on Void Formation in Copper Interconnects.
著者 (3件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 1624-1628  発行年: 2002年07月20日 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (18件):
  • 1) T. Marieb, P. Flinn, J. C. Bravman, D. Gardner and M. Madden: J. Appl. Phys. 78 (1995) 1026–1032.
  • 2) E. Arzt, O. Kraft, W. D. Nix and J. E. Sanchez, Jr.: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1563–1571.
  • 3) E. Castano, J. Maiz, P. Flinn and M. Madden: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 129–131.
  • 4) I. A. Blech and E. S. Meieran: Appl. Phys. Lett. 11 (1967) 263–266.
  • 5) H. Okabayashi: Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 337 (1994) 503–513.
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