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J-GLOBAL ID：200902120707494341   整理番号：95A0875314

エミッタ-ベースヘテロ接合にポテンシャルスパイクの無い格子整合In_0.53Al_0.22Ga_0.25As/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの電気特性

Electrical characteristics of a lattice-matched In_0.53Al_0.22Ga_0.25As/InP heterojunction bipolar transistor with zero potential spike at emitter-base heterojunction.

著者 (5件)： WU Y H (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SU J S (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HSU W C (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN W (Telecommunication Lab., Ministry of Transportation and Communication, Taoyuan, TWN) ,  LIU W C (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 38  号： 10  ページ： 1755-1757  発行年： 1995年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧有機金属化学蒸着(LP-MOCVD)による標題トランジス...

シソーラス用語： HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： エミッタ ,  ヘテロ接合 ,  ポテンシャル ,  スパイク ,  格子整合 ,  InP ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  電気特性