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J-GLOBAL ID：200902120728314432   整理番号：01A0160481

4H-SiCの高電圧Shcottky整流器用のバナジウムイオンを注入したガードリング

Vanadium Ion Implanted Guard Rings for High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers.

著者 (6件)： HATAYAMA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  YONEDA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  NAKATA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  WATANABE M (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 12A  ページ： L1216-L1218  発行年： 2000年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低線量10¹²~10<sup>13<...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ガードリング

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (15件)：

• 1) H. Matsunami and T. Kimoto: Mater. Sci. & Eng. R<B>20</B> (1997) 125.
• 2) W. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl: <I>Silicon Carbide</I> (John Wiley & Sons, New York, 1997).
• 3) K. Ueno, T. Urushidani, K. Hashimoto and Y. Seki: IEEE Trans. Electron Devices Lett. 17 (1995) 331.
• 4) A. Itoh, T. Kimoto and H. Matsunami: IEEE Trans. Electron Devices Lett. 17 (1996) 139.
• 5) D. Alok, R. Raghunathan and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1315.

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  高電圧 ,  整流器 ,  バナジウムイオン ,  注入 ,  ガードリング