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J-GLOBAL ID：200902120758980747   整理番号：97A0624086

6H-SiCへのりんとほう素の注入

Phosphorus and boron implantation in 6H-SiC.

著者 (7件)： RAO M V (George Mason Univ., Virginia) ,  GARDNER J A (George Mason Univ., Virginia) ,  CHI P H (National Inst. Standards and Technol., Maryland) ,  HOLLAND O W (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  KELNER G (Naval Res. Lab., Washington, DC) ,  KRETCHMER J (G.E. Corporate Res. and Dev., New York) ,  GHEZZO M (G.E. Corporate Res. and Dev., New York)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 81  号： 10  ページ： 6635-6641  発行年： 1997年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記注入を50keV~4MeVの種々のエネルギーで行い,SI...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： アニール

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 6H-SiC ,  ほう素 ,  注入