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J-GLOBAL ID：200902120912984807   整理番号：01A0862316

ダマシンメタルゲートトランジスタのしきい値電圧のずれの改善

Improvement of Threshold Voltage Deviation in Damascene Metal Gate Transistors.

著者 (8件)： YAGISHITA A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SAITO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  INUMIYA S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MATSUO K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TSUNASHIMA Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ARIKADO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 8  ページ： 1604-1611  発行年： 2001年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタルゲートの仕事関数のずれ(結晶方位のずれ)が標記トランジ...

シソーラス用語： *閾値 ,...
準シソーラス用語： ダマシンプロセス

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： しきい値電圧