GaAs:Cr基板内の電気活性欠陥のクラスタに及ぼす気相エピタクシー工程の影響

KALINUSHKIN V P; YUR’EV V A; MURIN D I; PLOPPA M G; THIEME T V

文献

J-GLOBAL ID：200902120934106315 整理番号：93A0568263

GaAs:Cr基板内の電気活性欠陥のクラスタに及ぼす気相エピタクシー工程の影響

Influence of the process of vapor phase epitaxy on clusters of electrically active defects in GaAs:Cr substrates.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0568263&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0568263&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0093A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 27 号： 1 ページ： 104-105 発行年： 1993年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

基板による光散乱に及ぼすアニーリングの効果と散乱光強度の温度...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0568263&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0093A") }}

半導体の格子欠陥

, , , , ,

前のページに戻る