文献

J-GLOBAL ID：200902121006063830   整理番号：98A0426433

高ドープnおよびp型6H-SiCピエゾ抵抗器のキャラクタリゼーション

Characterization of Highly Doped n- and p-Type 6H-SiC Piezoresistors.

著者 (4件)： OKOJIE R S (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA) ,  NED A A (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA) ,  KURTZ A D (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA) ,  CARR W N (New Jersey Inst. Technol., NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45  号： 4  ページ： 785-790  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Wheatstoneブリッジ統合ビームトランスデューサに置か...

シソーラス用語： *圧電気 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0426433&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： 圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  6H-SiC ,  ピエゾ抵抗 ,  キャラクタリゼーション