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J-GLOBAL ID：200902121098357347   整理番号：02A0941229

高いN₂圧力下での溶液からのバルクGaNの結晶化機構

Mechanisms of crystallization of bulk GaN from the solution under high N₂ pressure.

著者 (7件)： GRZEGORY I (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  BOCKOWSKI M (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  LUCZNIK B (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  KRUKOWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  ROMANOWSKI Z (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  WROBLEWSKI M (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci. (PAS), Warsaw, POL)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 246  号： 3/4  ページ： 177-186  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いN₂圧力下での液体ガリウム中原子窒...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： N2 ,  溶液 ,  バルク ,  GaN ,  結晶化