低基板温度で液体源有機金属化学蒸着による(Ba,Sr)TiO<sub>3</sub>薄膜の堆積特性

KANG C S; CHO H-J; HWANG C S; LEE B T; LEE K-H; HORII H; KIM W D; LEE S I; LEE M Y

文献

J-GLOBAL ID：200902121387642297 整理番号：98A0089939

低基板温度で液体源有機金属化学蒸着による(Ba,Sr)TiO₃薄膜の堆積特性

Deposition Characteristics of (Ba, Sr)TiO₃ Thin Films by Liquid Source Metal-Organic Chemical Vapor Deposition at Low Substrate Temperatures.

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資料名：
巻： 36 号： 11 ページ： 6946-6952 発行年： 1997年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

直径6インチのPt/SiO₂/Siウエ...

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酸化物薄膜

引用文献 (14件)：

1) A. Yuuki, M. Yamamuka, T. Makita, T. Horikawa, T. Shibano, N. Hirano, H. Maeda, N. Mikami, K. Ono, H. Ogata and H. Abe: Proc. Int. Electron Devices Meet. (IEEE, New York, 1995) p. 115.
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4) H. Yamamichi, T. Iizuka, H. Koga, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, M. Suzuki, Y. Kojima, K. Nakajima, N. Kasai, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and S. Nishimoto: Proc. Int. Electron Devices Meet. (IEEE, New York, 1996) p. 675.
5) T. Kawakubo, K. Abe, S. Komatsu, K. Sano, N. Yanase and H. Mochizuki: Proc. Int. Electron Devices Meet. (IEEE, New York, 1996) p. 695.

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低基板温度で液体源有機金属化学蒸着による(Ba,Sr)TiO3薄膜の堆積特性

低基板温度で液体源有機金属化学蒸着による(Ba,Sr)TiO₃薄膜の堆積特性