金属有機気相エピタクシーによってシリコン(111)上に成長させたGaNにおける応力の制御

FELTIN E; BEAUMONT B; LAUEGT M; DE MIERRY P; VENNEGUES P; LAHRECHE H; LEROUX M; GIBART P

文献

J-GLOBAL ID：200902121407626420 整理番号：02A0016463

金属有機気相エピタクシーによってシリコン(111)上に成長させたGaNにおける応力の制御

Stress control in GaN grown on silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy.

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 79 号： 20 ページ： 3230-3232 発行年： 2001年11月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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