文献
J-GLOBAL ID:200902121447945804   整理番号:94A0385035

レーザ融解薄膜シリコンのパターン形成に対する結晶異方性の影響

The effect of crystalline anisotropy on pattern formation in laser-melted thin silicon films.
著者 (3件):
資料名:
巻: 137  号: 3/4  ページ: 355-374  発行年: 1994年04月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
冷却した基板上の薄膜シリコンを放射加熱すると,液相と固相の帯...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0385035&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 

前のページに戻る