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J-GLOBAL ID：200902121447945804   整理番号：94A0385035

レーザ融解薄膜シリコンのパターン形成に対する結晶異方性の影響

The effect of crystalline anisotropy on pattern formation in laser-melted thin silicon films.

著者 (3件)： BRUSH L N (Univ. Washington, Washington, USA) ,  MCFADDEN G B (National Inst. Standards and Technology, Maryland, USA) ,  CORIELL S R (National Inst. Standards and Technology, Maryland, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 137  号： 3/4  ページ： 355-374  発行年： 1994年04月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冷却した基板上の薄膜シリコンを放射加熱すると,液相と固相の帯...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ融解 ,  薄膜 ,  シリコン ,  パターン形成 ,  結晶 ,  異方性