ICB法によるC<sub>60</sub>単結晶薄膜の作製

磯田悟; 西川智志; 川窪広明; 和田理

文献

J-GLOBAL ID：200902121473787770 整理番号：94A0607638

ICB法によるC₆₀単結晶薄膜の作製

Preparation of C₆₀ Single Crystalline Thin Film by Ionized Cluster Beam Deposition.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=94A0607638&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0607638&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 94 号： 104(OME94 17-28) ページ： 33-38 発行年： 1994年06月21日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

C₆₀の薄膜形成法として,クラスタイオ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0607638&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

原子・分子のクラスタ , 無機化合物一般及び元素 , 有機化合物の薄膜

, ,

前のページに戻る

ICB法によるC60単結晶薄膜の作製

ICB法によるC₆₀単結晶薄膜の作製