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J-GLOBAL ID：200902121597108943   整理番号：03A0088495

小エネルギプラズマ強化CVD蒸着のグレーデッドバッファ層を用いたヘテロエピタキシャルGe-on-Siによるギガヘルツ光検出器の製作とモデリング

Fabrication and Modeling of Gigahertz Photodetectors in Heteroepitaxial Ge-on-Si Using a Graded Buffer Layer Deposited by Low Energy Plasma Enhanced CVD.

著者 (9件)： JONES R E (Motorola, TX, USA) ,  THOMAS S G (Motorola, AZ, USA) ,  BHARATAN S (Motorola, AZ, USA) ,  ROSENBLAD C (Unaxis Balzers Ltd., LIE) ,  RAMM J (Unaxis Balzers Ltd., LIE) ,  ISELLA G (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  VON KAENEL H (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  OH J (Univ. Texas, TX, USA) ,  CAMPBELL J C (Univ. Texas, TX, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 793-796  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *光通信 ,...

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分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (10件)： エネルギ ,  プラズマ強化CVD ,  蒸着 ,  バッファ層 ,  Ge ,  Si ,  ギガヘルツ ,  光検出器 ,  製作 ,  モデリング