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J-GLOBAL ID：200902121611812578   整理番号：98A0077319

H終端したSi(001)表面上のSi原子の吸着と拡散 H移動度によるSiマイグレーションの促進

Adsorption and Diffusion of Si Atoms on the H-Terminated Si(001) Surface: Si Migration Assisted by H Mobility.

著者 (3件)： NARA J (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI T (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN) ,  OHNO T (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 79  号： 22  ページ： 4421-4424  発行年： 1997年12月01日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノハイドライド終端したSi(001)-(2×1)表面におけ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 終端 ,  Si ,  Si原子 ,  吸着 ,  拡散 ,  移動度 ,  マイグレーション ,  促進