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J-GLOBAL ID：200902121624243866   整理番号：98A0136237

バルク成長分科会 シリコン結晶の最近の話題から Si結晶内のボイド状欠陥成長機構

What’s New on Silicon Crystals! The Formation Mechanism of Void-like Defects in CZ-Si.

著者 (7件)： 中居克彦 (新日本製鉄 先端技研) ,  長谷部政美 (新日本製鉄 先端技研) ,  池松陽一 (新日本製鉄 先端技研) ,  水谷敏行 (新日本製鉄 先端技研) ,  藤浪真紀 (新日本製鉄 先端技研) ,  大橋渡 (新日本製鉄 先端技研) ,  岩崎俊夫 (ニッテツ電子)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 24  号： 5  ページ： 438-443  発行年： 1997年 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶成長中にCZ-Siに誘起されたグローンイン(GI)欠陥を...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (12件)：

• 1) RYUTA J. Jpn. J. Appl. Phys.. (1990) vol.29, p.L1947.
• 2) YAMAGISHI H. Semicond. Sci. Tech.. (1992) vol.7, p.A135.
• 3) HOURAI M. Semiconductor silicon 1994. Electrochem. Soc., Pennington. (1994) vol.156,
• 4) ITSUMI M. Jpn. J. Appl. Phys.. (1996) vol. 35,Part 1,No.2B, p. 812 .
• 5) PARK J. G. Semicond. Silicon. Electrochem. Soc. Pennington. (1994) vol.370,

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  シリコン結晶 ,  話題 ,  Si結晶 ,  ボイド ,  欠陥