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J-GLOBAL ID：200902121701133670   整理番号：96A0795748

シリコン基板上への高品質SiGeC無秩序合金の成長とその光ルミネセンス

Growth and photoluminescence of high quality SiGeC random alloys on silicon substrates.

著者 (7件)： LIU C W (Princeton Univ., New Jersey) ,  ST AMOUR A (Princeton Univ., New Jersey) ,  STURM J C (Princeton Univ., New Jersey) ,  LACROIX Y R J (Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN) ,  THEWALT M L W (Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN) ,  MAGEE C W (Evans East, New Jersey) ,  EAGLESHAM D (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 80  号： 5  ページ： 3043-3047  発行年： 1996年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 550°CのSi(100)基板にCVD法で標記Si<sub>1...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： SiGeC ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  高品質 ,  秩序合金 ,  成長 ,  光ルミネセンス