塩化物源を用いた化学蒸着によるFeN薄膜の作製

文献

J-GLOBAL ID：200902121740419092 整理番号：00A0398107

Preparation of FeN thin films by chemical vapor deposition using a chloride source.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=00A0398107&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0398107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0935A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 42 号： 6 ページ： 380-382 発行年： 2000年03月
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ソース物質としてFeCl<sub>3</sub>とNH<su...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0398107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0935A") }}

その他の無機化合物の磁性 , その他の無機化合物の薄膜

, , ,

前のページに戻る